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奈米機電系統研究中心

電感耦合電漿蝕刻機 (矽深蝕刻)-卓越大樓

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儀器名稱

電感耦合電漿蝕刻機 (矽深蝕刻)

Samco / RIE-800iPB

用途

Deep silicon etcher

儀器規格

  1. Max wafer size:8”wafer; 4”wafer (with cover ring); broken pieces(with 4” carrier wafer and cover ring)
  2. Process Gas:
    • SF6, C4F8, O2, Ar, CF4

注意事項

  1. 只有已通過訓練及檢定之使用者允許操作本儀器。
  2. 使用者只允許使用第 30 組矽蝕刻製程參數和第 66 組清潔腔體參數。
  3. 在第 30 組製程參數中,只能更動周期數 Loop count, 其餘不可更動。
儀器課程名稱
  • [CRE] Samco ICP