奈米機電系統研究中心

儀器名稱

矽深蝕刻-電感耦合電漿蝕刻機(Samco DRIE)

Samco / RIE-800iPB

用途

Deep silicon etcher

儀器規格

1. Max wafer size：8”wafer; 4”wafer (with cover ring); broken pieces(with 4” carrier wafer and cover ring)
2. Process Gas：
   • SF6, C4F8, O2, Ar, CF4

注意事項

1. 只有已通過訓練及檢定之使用者允許操作本儀器。
2. 使用者只允許使用第 30 組矽蝕刻製程參數和第 66 組清潔腔體參數。
3. 在第 30 組製程參數中，只能更動周期數 Loop count， 其餘不可更動。