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奈米機電系統研究中心

電感耦合電漿蝕刻機 (多材料蝕刻)-卓越大樓

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儀器名稱

電感耦合電漿蝕刻機 (多材料蝕刻)

Oxford Instrument / Plasmalab System 100 ICP180

Oxford Instrument / Plasmalab System 100 RIE

用途

  • Chamber 1 (RIE):silicon etcher
  • Chamber 3 (ICP):III-V, metal , dielectric etcher

儀器規格

  • Chamber 1 (RIE)
    • Max wafer size:4”, <4”with carrier wafer
    • Gas list
      • O2, Ar, CF4, CHF3
  • Chamber 3 (ICP)
    • Max wafer size:8”, <8”with carrier wafer
    • Process Gas:
      • O2, Ar, SF6, N2, CH4, Cl2, H2, CHF3

注意事項

  1. 只有已通過訓練及檢定之使用者允許操作本儀器。
  2. 使用氯氣者請記得填寫氯氣使用紀錄(紀錄表放置在儀器前方牆壁上)
  3. 製程完畢後,清腔時務必放置dummy wafer。
  4. 請自備4吋/8吋之dummy wafer。
  5. 嚴禁鐵、鈷、鎳,銅,金
使用者說明書
儀器課程名稱
  • [CRE] Oxford ICP