奈米機電系統研究中心

儀器名稱

多材料蝕刻-電感耦合電漿蝕刻機(Oxford ICP-RIE)

Oxford Instrument / Plasmalab System 100 ICP180

Oxford Instrument / Plasmalab System 100 RIE

用途

• Chamber 1 (RIE)：silicon etcher
• Chamber 3 (ICP)：III-V, metal , dielectric etcher

儀器規格

• Chamber 1 (RIE)
  • Max wafer size：4”, <4”with carrier wafer
  • Gas list
    • O2, Ar, CF4, CHF3
• Chamber 3 (ICP)
  • Max wafer size：8”, <8”with carrier wafer
  • Process Gas：
    • O2, Ar, SF6, N2, CH4, Cl2, H2, CHF3

注意事項

1. 只有已通過訓練及檢定之使用者允許操作本儀器。
2. 使用氯氣者請記得填寫氯氣使用紀錄(紀錄表放置在儀器前方牆壁上)
3. 製程完畢後，清腔時務必放置dummy wafer。
4. 請自備4吋/8吋之dummy wafer。
5. 嚴禁鐵、鈷、鎳，銅，金。