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儀器名稱
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快速熱退火儀
Premtek / RTP_SA
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用途
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- 高溫退火/高溫擴散(Annealing / Diffusion)
- 金屬合金/砷化鎵合金(Metal Alloy, GaAs Contact Alloy)
- 硼磷矽玻璃回熔(PSG/BPSG Reflow)
- 氧化製程(Trench Oxidation)
- 閘極介電製程(Gate Dielectric Formation)
- 多晶矽退火(Poly–Si Annealing)
- 鈦矽化合物/氮化物(Ti Silicide / Salicide / Nitride)
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儀器規格
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- 晶圓尺寸：2”~ 4”
- 溫度範圍：RT ~ 1250℃
- 溫度上升速率：≦150℃/sec (Bare Wafer)
- 溫度均勻性：±1%
- 製程腔體含氧量：≧2ppm
- 製程壓力：10m Torr ~ 1 atm
- 製程氣體：O2, Ar, N2
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注意事項
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- 只有已通過訓練及檢定之使用者允許操作本儀器。
- 升溫 300°C以上,不可放入金屬或合金。
- 如需四吋 dummy wafer請自備。
- 若有設定真空,記得開啟真空幫浦。
- 升溫速率(Ramp 的溫度/時間)不可大於 20°C/秒,1000°C持續不可超過 60 秒。
- 腔體高度有限,請注意您的 sample 高度,以免開關門時卡到造成sample 破損甚至損壞機臺。
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儀器課程名稱
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