奈米機電系統研究中心

儀器名稱

快速熱退火儀

Premtek / RTP_SA

用途

• 高溫退火/高溫擴散(Annealing / Diffusion)
• 金屬合金/砷化鎵合金(Metal Alloy, GaAs Contact Alloy)
• 硼磷矽玻璃回熔(PSG/BPSG Reflow)
• 氧化製程(Trench Oxidation)
• 閘極介電製程(Gate Dielectric Formation)
• 多晶矽退火(Poly–Si Annealing)
• 鈦矽化合物/氮化物(Ti Silicide / Salicide / Nitride)

儀器規格

• 晶圓尺寸：2”~ 8”
• 溫度範圍：RT ~ 1250℃
• 溫度上升速率：≦150℃/sec (Bare Wafer)
• 溫度均勻性：±1%
• 製程腔體含氧量：≧2ppm
• 製程壓力：10m Torr ~ 1 atm

注意事項

1. 只有已通過訓練及檢定之使用者允許操作本儀器。
2. 升溫 300°C以上,不可放入金屬或合金。
3. 如需四吋 dummy wafer請自備。
4. 若有設定真空,記得開啟真空幫浦。
5. 升溫速率(Ramp 的溫度/時間)不可大於 20°C/秒,1000°C持續不可超過 60 秒。
6. 腔體高度有限,請注意您的 sample 高度,以免開關門時卡到造成sample 破損甚至損壞機臺。