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儀器名稱
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電漿輔助化學氣相沉積系統 (PECVD)
Oxford Instrument/Plasmalab System 100
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用途
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薄膜沉積
- 非晶矽 Amorphous Silicon Deposition
- 二氧化矽 Silicon Dioxide Deposition
- 氮化矽 Silicon Nitride Deposition at 100C, 200C, 300C(Default)
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儀器規格
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- Max wafer size: 8 inch
- Process Gas：
- CF4, O2, Ar, N2O, NH3, SiH4, N2
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注意事項
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- 只有已通過訓練及檢定之使用者允許操作本儀器。
- 嚴禁PI(polyimide)膠帶、光阻(photoresist)材料，金屬可。
- 樣本最大尺寸為8吋晶圓。
- 可鍍非晶矽(amorphous-silicon)、二氧化矽(silicon dioxide)、氮化矽(silicon nitride)。
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使用說明書
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儀器課程名稱
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