奈米機電系統研究中心

儀器名稱

電漿輔助化學氣相沉積系統 (PECVD)

Oxford Instrument/Plasmalab System 100

用途

      薄膜沉積

• 非晶矽 Amorphous Silicon Deposition
• 二氧化矽 Silicon Dioxide Deposition
• 氮化矽 Silicon Nitride Deposition at 100C, 200C, 300C(Default)

儀器規格

1. Max wafer size: 8 inch
2. Process Gas：
   • CF4, O2, Ar, N2O, NH3, SiH4, N2

注意事項

1. 只有已通過訓練及檢定之使用者允許操作本儀器。
2. 嚴禁PI(polyimide)膠帶、光阻(photoresist)材料，金屬可。
3. 樣本最大尺寸為8吋晶圓。
4. 可鍍非晶矽(amorphous-silicon)、二氧化矽(silicon dioxide)、氮化矽(silicon nitride)。